Ex 16.5 Controle de Motor com transistor IGBT

 IGBT FGA25N120

• Tensão Coletor-Emissor V CES de 1200 V. 
• Tensão Porta-Emissor V GES de alcance ± 20 V. 
• Corrente Coletora I C na temperatura de 25°C é 50A e na temperatura de 100°C é 25A. 
• Corrente Coletora Pulsada I CM é 90A. 
•  Corrente Direta Máxima I FM do Diodo é 150 A. 
• Dissipação Máxima de Potência PD  a 25°C é 312 W.
• Dissipação Máxima de Potência a 100°C é 125 W.

O IGBT FGA25N120 ANTD 1200V NPT (Nonpunch-Through) oferece desempenhos superiores de condução e comutação, alta robustez contra avalanches e fácil operação paralela. Com um processo de desenvolvimento de dispositivo mais simples e menores perdas de comutação, o FGA25N120 ANTD é bem adequado para aplicações de comutação ressonante ou suave, como aquecimento por indução, forno de micro-ondas.

O Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) pode ser ligado e desligado ativando a porta. O circuito abaixo mostra a comutação do LED e do Motor dando entrada ao terminal de Porta do IGBT.
Se tornarmos o Gate mais positivo aplicando voltagem através do gate, o emissor do IGBT mantém o IGBT em seu estado “ON“ e se tornarmos o Gate negativo ou zero push o IGBT permanecerá no estado “OFF”. É o mesmo que a comutação BJT e MOSFET.

A folha de dados do Transistor IGBT FGA25N120 está disponível em: 24_10_01 Transistor IGBT FGA25N120.

© Direitos de autor. 2024: Gomes; Sinésio Raimundo. Última atualização: 02/10/2024