Aula 15.2 - Transistor de Efeito de Campo de Oxido Metal

O Transistor de Efeito de Campo de Óxido Metal (MOSFET) é construído a partir de um canal de silício (do tipo n), é aplicado uma fina camada de óxido de silício (isolante) ao longo da superfície do canal, e, em seguida, coloca o Gate de Metal sobre o óxido e finalmente são colocado os dois terminais (dreno e fonte). Este dispositivo é conhecido como um transistor de efeito de campo de porta isolada (IGFET) ou mais comumente chamado de um MOSFET. Na ausência de tensão no elétrodo de porta (Gate), o canal N é apenas uma resistência de semicondutor que conduz a corrente em função da tensão aplicada entre a fonte (S) e o dreno (D), portanto, não há região de depleção.

MOSFET Canal N com depleção com normal (polarização reversa): Com uma tensão apropriada aplicada entre a fonte e o dreno, a corrente irá fluir através do canal, como em uma resistência de semicondutores. No entanto, se aplicar uma tensão negativa no Gate, ele terá de uma pequena carga estática negativa. Esta tensão negativa irá repelir elétrons, afastando-se da porta e cria uma região de depleção em torno da área da porta, o que restringe a largura útil do canal, reduzindo a corrente que flui no canal. Este tipo de FET opera através da criação de uma região de depleção dentro do canal existente.

A vantagem básica do MOSFET é que não há corrente de Gate, assim, a resistência de entrada deste dispositivo é essencialmente infinito. No entanto a fina camada de vidro não pode suportar a tensão muito alta, até mesmo a carga estática que você pode destruir o componente. Para evitar tais danos, MOSFETs são embalados em de metal com o condutores ligados à embalagem através de um anel de fio em torno deles, a qual permanece no lugar até que o dispositivo seja instalado no seu circuito. A segunda desvantagem tem a ver com a capacitância inerente entre a porta e o canal. Pode não parecer muito, mas limita a resposta de frequência em circuitos analógicos, ou a velocidade máxima de comutação de circuitos digitais.
© Direitos de autor. 2018: Gomes; Sinésio Raimundo. Última atualização: 10/11/2014