Um transistor de efeito de campo (FET) tem uma construção conforme figura. Uma barra de semicondutor tipo N é envolta por um material tipo P, formando uma junção PN chamada porta.
Os contatos nas extremidades são chamados de fonte e dreno. A junção da porta é inversamente polarizada, o que resulta em corrente quase nula pela mesma, mas o campo elétrico forma um canal na barra que controla a passagem dos portadores. Assim, a tensão aplicada na porta controla a corrente entre fonte e dreno.
Como a porta é polarizada inversamente, a sua resistência de entrada é bastante alta, o que é conveniente para muitas aplicações.
O exemplo da figura é um FET com canal tipo N mas pode perfeitamente ser tipo P, sendo, neste caso, a porta tipo N e, naturalmente, invertidas as tensões aplicadas (o símbolo tem o sentido da seta invertido).
Em muitos diagramas é comum o uso das iniciais em inglês para fonte, dreno e porta (Source, Drain, Gate).
Aplicação: Microespião de FM com FET
T1 & T2 são BF245 FET's Canal N. O diodo varactor BA121. L1 = 7 voltas de 0.8mm de Fio de prata enrolado num Núcleo de ferrita de 5mm (ajustável). Este oscilador muito estável tem uma freqüência de aproximadamente 100 Megaherz. Feedback via capacitor de 16pF. Sem interferência a partir da antena no loop de ressonância. A distância é de *pelo menos* 300 metros.
© Direitos de autor. 2018: Gomes; Sinésio Raimundo. Última atualização: 10/11/2014
Aplicação: Microespião de FM com FET
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